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PSMN4R3-30BL,118  与  IPB034N03L G  区别

型号 PSMN4R3-30BL,118 IPB034N03L G
唯样编号 A-PSMN4R3-30BL,118 A-IPB034N03L G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.4mΩ
上升时间 - 6.4ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 103W 94W
输出电容 500pF -
栅极电压Vgs 1.7V 20V
典型关闭延迟时间 - 35ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 80A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 2400pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 5.2mΩ@4.5V,4.1mΩ@10V -
下降时间 - 5.4ns
典型接通延迟时间 - 9.2ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥6.7304
400+ :  ¥5.5167
800+ :  ¥4.7971
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R3-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-30BL_SOT404 N-Channel 103W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥6.7304 

阶梯数 价格
200: ¥6.7304
400: ¥5.5167
800: ¥4.7971
0 当前型号
IRF3709ZCS Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 87A(Tc) ±20V 79W(Tc) 6.3mΩ@21A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB05N03LB Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF1503STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@140A,10V N-Channel 30V 190A D2PAK

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IPB04N03LA Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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SPB42N03S2L-13 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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